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Référence fabricant | NM93CS06EN |
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Numéro de pièce future | FT-NM93CS06EN |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NM93CS06EN Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 256b (16 x 16) |
Fréquence d'horloge | 1MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM93CS06EN Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NM93CS06EN-FT |
NAND256W3A0BN6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A0BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BE06
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BN6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZA6F TR
Micron Technology Inc.
NAND256W3A2BZAXE
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F2DDI6P
Micron Technology Inc.
NAND32GW3F2DDI6P TR
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2AZA6E
STMicroelectronics
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel