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Référence fabricant | NAND256W3A2BZA6F TR |
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Numéro de pièce future | FT-NAND256W3A2BZA6F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NAND256W3A2BZA6F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 256Mb (32M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 50ns |
Temps d'accès | 50ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 55-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 55-VFBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NAND256W3A2BZA6F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NAND256W3A2BZA6F TR-FT |
N25Q064A13EF640FN03 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE40R01 TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESE4MF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEA0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESED0G
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEDFF TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESEH0E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13ESF42EE01
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel