maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / NM27C512QE120
Référence fabricant | NM27C512QE120 |
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Numéro de pièce future | FT-NM27C512QE120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NM27C512QE120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EPROM |
La technologie | EPROM - UV |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NM27C512QE120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NM27C512QE120-FT |
N25W064A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25W064A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740E
Micron Technology Inc.
N25W128A11EF740F TR
Micron Technology Inc.
N25W256A11EF840E
Micron Technology Inc.
N25W256A11EF840F TR
Micron Technology Inc.
N28H00CB03JDK11E
Micron Technology Inc.
N28H00EB03EDK34E
Micron Technology Inc.
N2M400FDB311A3CF TR
Micron Technology Inc.
N2M400GDB321A3CE
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
Intel