maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / N2M400GDB321A3CE
Référence fabricant | N2M400GDB321A3CE |
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Numéro de pièce future | FT-N2M400GDB321A3CE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N2M400GDB321A3CE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 64Gb (8G x 8) |
Fréquence d'horloge | 52MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | MMC |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N2M400GDB321A3CE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N2M400GDB321A3CE-FT |
N25Q032A13EF440E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF4A0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF840E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF840F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESE40F
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESEC0E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13ESEH0F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV140
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV740
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EV741
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel