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Référence fabricant | NLV32T-R56J-EFD |
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Numéro de pièce future | FT-NLV32T-R56J-EFD |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NLV-EFD |
NLV32T-R56J-EFD Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 560nH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 450mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 180MHz |
Évaluations | AEC-Q200 |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25.2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.094" (2.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NLV32T-R56J-EFD Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NLV32T-R56J-EFD-FT |
NLV32T-3R9J-PF
TDK Corporation
NLV32T-470J-PF
TDK Corporation
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TDK Corporation
NLV32T-022J-PF
TDK Corporation
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TDK Corporation
NLV32T-027J-PF
TDK Corporation
NLV32T-033J-EF
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NLV32T-039J-EF
TDK Corporation
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
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XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
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EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel