maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / NHP620MFDT3G
Référence fabricant | NHP620MFDT3G |
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Numéro de pièce future | FT-NHP620MFDT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NHP620MFDT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500nA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NHP620MFDT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NHP620MFDT3G-FT |
NRVBD1035CTLT4G
ON Semiconductor
NRVBD640CTG-VF01
ON Semiconductor
NRVBD650CTT4G-VF01
ON Semiconductor
NRVBD660CTRLG-VF01
ON Semiconductor
SBRD81035CTLG-VF01
ON Semiconductor
SBRV640VCTT4G
ON Semiconductor
SBRV660VCTT4G
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SSRD8620CTRG-VF01
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MBRD1035CTL
ON Semiconductor
MBRD1035CTLT4
ON Semiconductor
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel