maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / NRVBD660CTRLG-VF01
Référence fabricant | NRVBD660CTRLG-VF01 |
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Numéro de pièce future | FT-NRVBD660CTRLG-VF01 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
NRVBD660CTRLG-VF01 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NRVBD660CTRLG-VF01 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NRVBD660CTRLG-VF01-FT |
BAV99RWT1G
ON Semiconductor
NSVBAV99WT3G
ON Semiconductor
MMBD717LT1G
ON Semiconductor
BAV99WT1G
ON Semiconductor
BAT54SWT1G
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BAT54CWT1G
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BAV70WT1G
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SM1MA142WKT1G
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M1MA141WAT1G
ON Semiconductor
NSVMMBD717LT1G
ON Semiconductor
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel