maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / NGTD9R120F2WP
Référence fabricant | NGTD9R120F2WP |
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Numéro de pièce future | FT-NGTD9R120F2WP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NGTD9R120F2WP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.6V @ 15A |
La vitesse | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTD9R120F2WP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NGTD9R120F2WP-FT |
CD214C-B320R
Bourns Inc.
CD214C-B3100R
Bourns Inc.
CD214C-B340R
Bourns Inc.
CD214C-B360R
Bourns Inc.
CD214C-FS3D
Bourns Inc.
CD214C-FS3G
Bourns Inc.
CD214C-FS3J
Bourns Inc.
CD214C-S3D
Bourns Inc.
CD214C-S3G
Bourns Inc.
CD214C-S3J
Bourns Inc.
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel