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Référence fabricant | CD214C-B360R |
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Numéro de pièce future | FT-CD214C-B360R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CD214C-B360R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | 180pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD214C-B360R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CD214C-B360R-FT |
1N4004 BK
Central Semiconductor Corp
1N4004GPP BK
Central Semiconductor Corp
1N4004GPP TR
Central Semiconductor Corp
1N4004SP TR
Central Semiconductor Corp
1N4005GL BK
Central Semiconductor Corp
1N4005GL TR
Central Semiconductor Corp
1N4005GPP BK
Central Semiconductor Corp
1N4005GPP TR
Central Semiconductor Corp
1N4006 BK
Central Semiconductor Corp
1N4006 TR
Central Semiconductor Corp
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel