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ON Semiconductor NGTB10N60R2DT4G

Numéro de pièce MFG
NGTB10N60R2DT4G
quantité disponible
24510 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 10A 600V DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NGTB10N60R2DT4G.pdf
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NGTB10N60R2DT4G Caractéristiques

Référence fabricant NGTB10N60R2DT4G
Numéro de pièce future FT-NGTB10N60R2DT4G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NGTB10N60R2DT4G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT -
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 20A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Puissance - Max 72W
Énergie de commutation 412µJ (on), 140µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 53nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 48ns/120ns
Condition de test 300V, 10A, 30 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 90ns
Température de fonctionnement 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareils du fournisseur DPAK
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NGTB10N60R2DT4G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NGTB10N60R2DT4G-FT

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