maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / NGTB10N60R2DT4G
Référence fabricant | NGTB10N60R2DT4G |
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Numéro de pièce future | FT-NGTB10N60R2DT4G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NGTB10N60R2DT4G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 20A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 40A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 10A |
Puissance - Max | 72W |
Énergie de commutation | 412µJ (on), 140µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 53nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 48ns/120ns |
Condition de test | 300V, 10A, 30 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 90ns |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Package d'appareils du fournisseur | DPAK |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NGTB10N60R2DT4G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NGTB10N60R2DT4G-FT |
FGH25T120SMD-F155
ON Semiconductor
FGH75T65SHDT-F155
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NGTB15N120FLWG
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NGTB75N65FL2WG
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NGTB15N120FL2WG
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