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ON Semiconductor NGTB40N120FL2WG

Numéro de pièce MFG
NGTB40N120FL2WG
quantité disponible
84810 Pièces
Prix de référence
USD 4.456
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- IGBT 1200V 80A 535W TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Simples
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
NGTB40N120FL2WG.pdf
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NGTB40N120FL2WG Caractéristiques

Référence fabricant NGTB40N120FL2WG
Numéro de pièce future FT-NGTB40N120FL2WG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NGTB40N120FL2WG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Courant - collecteur pulsé (Icm) 200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A
Puissance - Max 535W
Énergie de commutation 3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de la porte 313nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 116ns/286ns
Condition de test 600V, 40A, 10 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 240ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / caisse TO-247-3
Package d'appareils du fournisseur TO-247
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NGTB40N120FL2WG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NGTB40N120FL2WG-FT

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