maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE85633-T1B-R25-A
Référence fabricant | NE85633-T1B-R25-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE85633-T1B-R25-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE85633-T1B-R25-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 11.5dB |
Puissance - Max | 200mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 125 @ 20mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85633-T1B-R25-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE85633-T1B-R25-A-FT |
NE68518-T1-A
CEL
NE85618-A
CEL
NE85618-T1-A
CEL
START405TR
STMicroelectronics
START499ETR
STMicroelectronics
HFA3134IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IHZ96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3134IH96
Renesas Electronics America Inc.
HFA3135IH96
Renesas Electronics America Inc.
MMBTH11
ON Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75-2CSG484C
Xilinx Inc.
XC4010E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
EP20K600EFC672-3
Intel
10M08DCF484C7G
Intel
EP3SL200H780C4L
Intel
XC4006E-3PC84I
Xilinx Inc.
LCMXO2-256ZE-1UMG64C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-25F-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation