maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE85618-T1-A
Référence fabricant | NE85618-T1-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE85618-T1-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE85618-T1-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 6.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Gain | 13dB |
Puissance - Max | 150mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-82A, SOT-343 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-343 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE85618-T1-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE85618-T1-A-FT |
BFP650H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP183WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP193WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP196WH6327XTSA1
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BFP405H6327XTSA1
Infineon Technologies
BF776H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP520H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP640ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP760H6327XTSA1
Infineon Technologies
BFP840ESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQG208I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
EPF10K200EBC600-2
Intel
EP3C40F484C6
Intel
5SGXEA5N2F40C3N
Intel
10CX220YF780E5G
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5SGXEA9N3F45I3L
Intel
5SGXEB9R2H43I3N
Intel
LCMXO2-7000HC-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation