maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE685M03-T1-A
Référence fabricant | NE685M03-T1-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE685M03-T1-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE685M03-T1-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 5V |
Fréquence - Transition | 12GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
Gain | - |
Puissance - Max | 125mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 3V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-623F |
Package d'appareils du fournisseur | M03 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE685M03-T1-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE685M03-T1-A-FT |
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
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MS1202
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MS1227
Microsemi Corporation
MS1337
Microsemi Corporation
MS1406
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MS1579
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EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
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XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
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5SGXEA7K3F35C4N
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XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel