maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MS1202
Référence fabricant | MS1202 |
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Numéro de pièce future | FT-MS1202 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS1202 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 35V |
Fréquence - Transition | 118MHz ~ 136MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 8.4dB |
Puissance - Max | 15W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 100mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | M135 |
Package d'appareils du fournisseur | M135 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS1202 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS1202-FT |
74060H
Microsemi Corporation
75060B
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75086H
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75096A
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75109A
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75112
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76016S
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76020H
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LFE2-12E-7T144C
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XC2S50-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-FG256I
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A3PN060-2VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE22F17I8L
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EP4SGX360FH29C2XN
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EP4CGX15BF14C6
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XCV150-5BG256C
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XC4VLX40-11FFG1148C
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5M13I7N
Intel