maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / MS1202
Référence fabricant | MS1202 |
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Numéro de pièce future | FT-MS1202 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MS1202 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 35V |
Fréquence - Transition | 118MHz ~ 136MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 8.4dB |
Puissance - Max | 15W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5 @ 100mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 1A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | M135 |
Package d'appareils du fournisseur | M135 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MS1202 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MS1202-FT |
74060H
Microsemi Corporation
75060B
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75086H
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75096A
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75101H
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75102
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75109A
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75112
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76016S
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76020H
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XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL025-VFG256I
Microsemi Corporation
AT40K40LV-3EQC
Microchip Technology
5SGXEB6R3F40C2
Intel
EP3SL340F1760I3N
Intel
XC4028XL-3BG256I
Xilinx Inc.
M1AGL250V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2-50E-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K200SRC240-3B
Intel
EP20K300ERC240-2X
Intel