maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE681M13-A
Référence fabricant | NE681M13-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE681M13-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE681M13-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 10V |
Fréquence - Transition | 7GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz |
Gain | - |
Puissance - Max | 140mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 7mA, 3V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 65mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-3 |
Package d'appareils du fournisseur | M13 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE681M13-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE681M13-A-FT |
MS1030
Microsemi Corporation
MS1030DE
Microsemi Corporation
MS1051
Microsemi Corporation
MS1076
Microsemi Corporation
MS1076A
Microsemi Corporation
MS1076C
Microsemi Corporation
MS1087T
Microsemi Corporation
MS1202
Microsemi Corporation
MS1227
Microsemi Corporation
MS1337
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
XC3S50A-4VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGXEA5K3F40C3N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
EP4SGX530HH35C2ES
Intel
XC6VLX365T-3FFG1759C
Xilinx Inc.
EP1S30F780C7
Intel