maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / NE66219-T1-A
Référence fabricant | NE66219-T1-A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NE66219-T1-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE66219-T1-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3.3V |
Fréquence - Transition | 21GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 2GHz |
Gain | 14dB |
Puissance - Max | 115mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 2V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-523 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-523 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE66219-T1-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE66219-T1-A-FT |
MZ0912B100Y,114
Ampleon USA Inc.
MZ0912B50Y,114
Ampleon USA Inc.
PZ1418B30U,114
Ampleon USA Inc.
MX0912B251Y,114
Ampleon USA Inc.
MX0912B351Y,114
Ampleon USA Inc.
RX1214B300Y,114
Ampleon USA Inc.
BLS2731-110,114
Ampleon USA Inc.
BLS2731-50,114
Ampleon USA Inc.
BLS3135-20,114
NXP USA Inc.
BLS3135-50,114
NXP USA Inc.
XC3S4000-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FG900I
Xilinx Inc.
M2GL005-1FGG484
Microsemi Corporation
EP1S10F672C7N
Intel
10AX022E3F27E2SG
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB1D4F31C5N
Intel
EPF6016QI208-3
Intel