maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / NE3513M04-T2B-A
Référence fabricant | NE3513M04-T2B-A |
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Numéro de pièce future | FT-NE3513M04-T2B-A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE3513M04-T2B-A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | N-Channel GaAs HJ-FET |
La fréquence | 12GHz |
Gain | 13dB |
Tension - Test | 2V |
Note actuelle | 60mA |
Figure de bruit | 0.65dB |
Courant - Test | 10mA |
Puissance - sortie | 125mW |
Tension - nominale | 4V |
Paquet / caisse | 4-SMD, Flat Leads |
Package d'appareils du fournisseur | 4-Super Mini Mold |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE3513M04-T2B-A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE3513M04-T2B-A-FT |
MRF6S19060MR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100MBR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100MR1
NXP USA Inc.
MRF6S19140HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S19140HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S21050LR5
NXP USA Inc.
MRF6S21050LSR3
NXP USA Inc.
MRF6S21050LSR5
NXP USA Inc.
MRF6S21060MBR1
NXP USA Inc.
MRF6S21060MR1
NXP USA Inc.
XC2S200E-6FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
A3PE3000-FGG484
Microsemi Corporation
AX1000-FG484M
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6N
Intel
EPF10K30AFC256-2
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
LCMXO3LF-1300E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31C5N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel