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Référence fabricant | MRF6S19100MR1 |
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Numéro de pièce future | FT-MRF6S19100MR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MRF6S19100MR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 1.99GHz |
Gain | 14.5dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 950mA |
Puissance - sortie | 22W |
Tension - nominale | 68V |
Paquet / caisse | TO-270-4 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-270 WB-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MRF6S19100MR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MRF6S19100MR1-FT |
BLF6G27LS-100,118
NXP USA Inc.
BLF6G27LS-40PHJ
Ampleon USA Inc.
BLF6G27LS-50BN,112
NXP USA Inc.
BLF6G27LS-50BN,118
NXP USA Inc.
BLF6H10L-300P
Ampleon USA Inc.
BLF879PSIN
Ampleon USA Inc.
BLF8G20LS-140GVJ
Ampleon USA Inc.
BLF8G20LS-140GVQ
Ampleon USA Inc.
BLF8G20LS-200V
Ampleon USA Inc.
BLF8G22LS-160BVX
Ampleon USA Inc.
A1415A-PQG100I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2LN
Intel
10AX022E3F29E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4LN
Intel
A42MX09-1PL84I
Microsemi Corporation
EP2C70F896C6
Intel
EP3SL110F780C4L
Intel
EPF10K50VBI356-3
Intel