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Référence fabricant | NE3210S01-T1B |
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Numéro de pièce future | FT-NE3210S01-T1B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NE3210S01-T1B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | HFET |
La fréquence | 12GHz |
Gain | 13.5dB |
Tension - Test | 2V |
Note actuelle | 15mA |
Figure de bruit | 0.35dB |
Courant - Test | 10mA |
Puissance - sortie | - |
Tension - nominale | 4V |
Paquet / caisse | 4-SMD |
Package d'appareils du fournisseur | SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NE3210S01-T1B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NE3210S01-T1B-FT |
MRF6S18140HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S18140HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S19060MBR1
NXP USA Inc.
MRF6S19060MR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100MBR1
NXP USA Inc.
MRF6S19100MR1
NXP USA Inc.
MRF6S19140HSR3
NXP USA Inc.
MRF6S19140HSR5
NXP USA Inc.
MRF6S21050LR5
NXP USA Inc.
MRF6S21050LSR3
NXP USA Inc.
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQG100C
Xilinx Inc.
5SGSMD8K2F40I2N
Intel
5SGXEB9R3H43C4N
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7VX550T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG144
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation