maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / NDD03N60Z-1G
Référence fabricant | NDD03N60Z-1G |
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Numéro de pièce future | FT-NDD03N60Z-1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NDD03N60Z-1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 1.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 312pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 61W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | I-PAK |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NDD03N60Z-1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NDD03N60Z-1G-FT |
NTLJF3118NTBG
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