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ON Semiconductor NTLJF3118NTBG

Numéro de pièce MFG
NTLJF3118NTBG
quantité disponible
12710 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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NTLJF3118NTBG Caractéristiques

Référence fabricant NTLJF3118NTBG
Numéro de pièce future FT-NTLJF3118NTBG
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
NTLJF3118NTBG Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 271pF @ 10V
Caractéristique FET Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 6-WDFN (2x2)
Paquet / caisse 6-WDFN Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NTLJF3118NTBG Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange NTLJF3118NTBG-FT

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