maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / N25Q128A13ESFH0E TR
Référence fabricant | N25Q128A13ESFH0E TR |
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Numéro de pièce future | FT-N25Q128A13ESFH0E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
N25Q128A13ESFH0E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NOR |
Taille mémoire | 128Mb (32M x 4) |
Fréquence d'horloge | 108MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 8ms, 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SOP2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
N25Q128A13ESFH0E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | N25Q128A13ESFH0E TR-FT |
MT53B256M32D1PX-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M32D1PX-062 XT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2NL-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 L XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B256M64D2TP-062 XT:C
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M16D1Z11MWC2
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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