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Référence fabricant | MT53D256M64D4NY-046 XT:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D256M64D4NY-046 XT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D256M64D4NY-046 XT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (256M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 105°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4NY-046 XT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D256M64D4NY-046 XT:B-FT |
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFT68MWC2
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFT68MWC2
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.