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Référence fabricant | MT46H32M32LFB5-5 AAT:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT46H32M32LFB5-5 AAT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 1Gb (32M x 32) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5.0ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46H32M32LFB5-5 AAT:B-FT |
MT29F64G08CBCBBH1-10X:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBL04A3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEBBL84A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETHBBM5-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel