maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G
Référence fabricant | MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 64Gb (8G x 8) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F64G08CBCGBJ4-5M:G-FT |
MT29F256G08EBCAGB16A3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBCAGJ4-5M:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08EBHAFJ4-3R:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGD12-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G01ABAGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel