maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXLSMBJ110AE3
Référence fabricant | MXLSMBJ110AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MXLSMBJ110AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMBJ110AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 110V |
Tension - Panne (Min) | 122V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 177V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.4A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMBJ110AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXLSMBJ110AE3-FT |
MASMBJSAC75
Microsemi Corporation
MASMBJSAC75E3
Microsemi Corporation
MASMBJSAC8.0
Microsemi Corporation
MASMBJSAC8.0E3
Microsemi Corporation
MASMBJSAC8.5
Microsemi Corporation
MASMBJSAC8.5E3
Microsemi Corporation
MSMBJ100A
Microsemi Corporation
MSMBJ100AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ10AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ10CAE3
Microsemi Corporation
XCV100-5FG256I
Xilinx Inc.
A54SX16P-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
5SGXMA3K3F40I4N
Intel
5SGXEA9K1H40C2LN
Intel
XC7VX550T-3FFG1158E
Xilinx Inc.
XC4VLX25-10FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU035-3SFVA784E
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation