maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ10CAE3
Référence fabricant | MSMBJ10CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMBJ10CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ10CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 35.3A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ10CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ10CAE3-FT |
MASMBJ30AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ30CA
Microsemi Corporation
MASMBJ30CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33CA
Microsemi Corporation
MASMBJ33CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36A
Microsemi Corporation
MASMBJ36AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ40A
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FG484I
Microsemi Corporation
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
5CEBA7F27C8N
Intel
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
XC7V2000T-G2FHG1761E
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQ100I
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel