maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ10CAE3
Référence fabricant | MSMBJ10CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMBJ10CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ10CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 35.3A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ10CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ10CAE3-FT |
MASMBJ30AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ30CA
Microsemi Corporation
MASMBJ30CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33CA
Microsemi Corporation
MASMBJ33CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36A
Microsemi Corporation
MASMBJ36AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ40A
Microsemi Corporation
XC4013XL-09HT144C
Xilinx Inc.
LCMXO256C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F17C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP10C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel