maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MSMBJ10CAE3
Référence fabricant | MSMBJ10CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MSMBJ10CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MSMBJ10CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 35.3A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MSMBJ10CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MSMBJ10CAE3-FT |
MASMBJ30AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ30CA
Microsemi Corporation
MASMBJ30CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ33CA
Microsemi Corporation
MASMBJ33CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36A
Microsemi Corporation
MASMBJ36AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ36CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ40A
Microsemi Corporation
XC6SLX150-2FGG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29I2LG
Intel
EP4CE6E22C8L
Intel
5SGXEB5R3F43I3L
Intel
5SGXMA7H3F35I4N
Intel
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
A54SX08A-2TQG100I
Microsemi Corporation
AGL1000V2-CS281
Microsemi Corporation