maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMBJ30AE3
Référence fabricant | MASMBJ30AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MASMBJ30AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMBJ30AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30V |
Tension - Panne (Min) | 33.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 48.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 12.4A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMBJ30AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMBJ30AE3-FT |
MSMBJ8.0AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ8.0CAE3
Microsemi Corporation
MSMBJ8.5AE3
Microsemi Corporation
MSMBJ8.5CA
Microsemi Corporation
MSMBJ9.0A
Microsemi Corporation
MSMBJ9.0AE3
Microsemi Corporation
MSMBJSAC7.0
Microsemi Corporation
MASMBJ100A
Microsemi Corporation
MASMBJ100AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ100CA
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation