maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / MX2N5116
Référence fabricant | MX2N5116 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MX2N5116 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MX2N5116 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 30V |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 4V @ 1nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | 175 Ohms |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Package d'appareils du fournisseur | TO-18 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MX2N5116 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MX2N5116-FT |
2N5115-E3
Vishay Siliconix
2N5115JAN02
Vishay Siliconix
2N5115JTVL02
Vishay Siliconix
2N5115JTX02
Vishay Siliconix
2N5115JTXL02
Vishay Siliconix
2N5115JTXV02
Vishay Siliconix
2N5116-E3
Vishay Siliconix
2N5116JAN02
Vishay Siliconix
2N5116JTXV02
Vishay Siliconix
2N5116UB
Microsemi Corporation
LFEC6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX25CF672C7
Intel
10AX048E4F29I3SG
Intel
5SGXMA5K1F35C2N
Intel
XC6VLX365T-2FF1759I
Xilinx Inc.
AGL125V5-FGG144
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C5N
Intel