maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - JFET / 2N5116UB
Référence fabricant | 2N5116UB |
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Numéro de pièce future | FT-2N5116UB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
2N5116UB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | P-Channel |
Tension - Panne (V (BR) GSS) | 30V |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V |
Drain actuel (Id) - Max | - |
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id | 4V @ 1nA |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 15V |
Résistance - RDS (On) | 175 Ohms |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 3-SMD, No Lead |
Package d'appareils du fournisseur | UB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
2N5116UB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 2N5116UB-FT |
2N4858A
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2N4392
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