maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURT40040R
Référence fabricant | MURT40040R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MURT40040R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURT40040R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 200A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.35V @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 180ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Three Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Three Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURT40040R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURT40040R-FT |
GSXD100A006S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF100A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A008S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD100A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD120A020S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD030A010S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXF030A100S1-D3
Global Power Technologies Group
GSXD080A006S1-D3
Global Power Technologies Group
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel