maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / GSXD100A020S1-D3
Référence fabricant | GSXD100A020S1-D3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-GSXD100A020S1-D3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
GSXD100A020S1-D3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 2 Independent |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 100A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSXD100A020S1-D3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | GSXD100A020S1-D3-FT |
DSP45-16AR
IXYS
DSSK60-015AR
IXYS
DSSK60-02AR
IXYS
DSSK80-006BR
IXYS
DSSS30-01AR
IXYS
DSSS35-008AR
IXYS
DSEC60-03AR
IXYS
DSSS35-01AR
IXYS
DGSK20-025A
IXYS
DSP8-12A
IXYS
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel