maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURHB860CT
Référence fabricant | MURHB860CT |
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Numéro de pièce future | FT-MURHB860CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MEGAHERTZ™ |
MURHB860CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.8V @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURHB860CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURHB860CT-FT |
MBRD1035CTLG
ON Semiconductor
MBRD1035CTLT4G
ON Semiconductor
NRVBD650CTG-VF01
ON Semiconductor
NRVSRD620VCTT4RG
ON Semiconductor
NRVSRD620VCTT4G
ON Semiconductor
SNRVUD620CTT4G
ON Semiconductor
NRVBD1035CTLT4G
ON Semiconductor
NRVBD640CTG-VF01
ON Semiconductor
NRVBD650CTT4G-VF01
ON Semiconductor
NRVBD660CTRLG-VF01
ON Semiconductor
EPF10K20TC144-4
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC2V500-4FG456I
Xilinx Inc.
LFE5UM5G-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50FC256-1N
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10M50DCF672C8G
Intel
XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.
EPF10K50VRC240-3N
Intel