maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURF10005R
Référence fabricant | MURF10005R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MURF10005R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MURF10005R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 50V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 100A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.3V @ 50A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 75ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 25µA @ 50V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF10005R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURF10005R-FT |
MBRF30H50CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF30H60CTH
ON Semiconductor
MBRF30H90CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MDA600-12N1
IXYS
MDA600-14N1
IXYS
MDA600-16N1
IXYS
MDA600-18N1
IXYS
MDA600-20N1
IXYS
MDA600-22N1
IXYS
MDA95-22N1B
IXYS
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel