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Référence fabricant | MURB820 |
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Numéro de pièce future | FT-MURB820 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | FRED Pt® |
MURB820 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 975mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURB820 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURB820-FT |
HFA16TB120STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TB120STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25TB60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25TB60STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB2045C-61HE3J/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H45C-61HE3J/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB1035
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
XCKU040-1FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DAF256I6G
Intel
XC7A35T-1CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N2F40I2LG
Intel
EP4CE30F29I7
Intel