maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MB10H90HE3_A/P
Référence fabricant | MB10H90HE3_A/P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MB10H90HE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MB10H90HE3_A/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10H90HE3_A/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB10H90HE3_A/P-FT |
BYWB29-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWB29-50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DTV32B-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DTV32B-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation