maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MURB1660CTT4
Référence fabricant | MURB1660CTT4 |
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Numéro de pièce future | FT-MURB1660CTT4 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
MURB1660CTT4 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 60ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 600V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURB1660CTT4 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MURB1660CTT4-FT |
SNRVBD660CTT4G
ON Semiconductor
MBRD660CTRLG
ON Semiconductor
MBRD1035CTLG
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MBRD1035CTLT4G
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NRVSRD620VCTT4RG
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NRVBD640CTG-VF01
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A3P1000-2FG256
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APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
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Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
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5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
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