maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / MUN5233DW1T1G
Référence fabricant | MUN5233DW1T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUN5233DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN5233DW1T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5233DW1T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN5233DW1T1G-FT |
NSBA123JDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA124EDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T1
ON Semiconductor
NSBA143ZDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA144EDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel