maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / NSBA124EDXV6T1
Référence fabricant | NSBA124EDXV6T1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-NSBA124EDXV6T1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
NSBA124EDXV6T1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 500mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSBA124EDXV6T1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | NSBA124EDXV6T1-FT |
NSBC143EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA143ZDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBA114EDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123TDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC3S50-4PQ208C
Xilinx Inc.
A42MX36-1BGG272M
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGSED6K3F40I4N
Intel
5SGXEA4H2F35I2LN
Intel
LFE2M70SE-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6M132I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81188AQC240-4
Intel