maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola / MUN5136DW1T1G
Référence fabricant | MUN5136DW1T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUN5136DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN5136DW1T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 100 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 100 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5136DW1T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN5136DW1T1G-FT |
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB143TPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVB144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor
EMC4DXV5T1G
ON Semiconductor
NSTB1002DXV5T1G
ON Semiconductor
NSVEMC2DXV5T1G
ON Semiconductor
EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
AGLN030V5-ZQNG48
Microsemi Corporation
EP4SGX530NF45I4
Intel
5AGZME5H3F35C4N
Intel
5SGXEA5K2F35I3LN
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
XC7K480T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG676I
Microsemi Corporation