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ON Semiconductor NSVB123JPDXV6T1G
- Numéro de pièce MFG
- NSVB123JPDXV6T1G
- quantité disponible
- 31770 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- - TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux, pré-pola
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- NSVB123JPDXV6T1G.pdf
NSVB123JPDXV6T1G Caractéristiques
| Référence fabricant | NSVB123JPDXV6T1G |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-NSVB123JPDXV6T1G |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| NSVB123JPDXV6T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
| Résistance - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 4.7 kOhms |
| Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance - Max | 500mW |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | SOT-563, SOT-666 |
| Package d'appareils du fournisseur | SOT-563 |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| NSVB123JPDXV6T1G Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | NSVB123JPDXV6T1G-FT |
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