maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / MUN5115T1G
Référence fabricant | MUN5115T1G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUN5115T1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN5115T1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | - |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 202mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-70, SOT-323 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-70-3 (SOT323) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5115T1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN5115T1G-FT |
MUN2236T1
ON Semiconductor
MUN2241T1
ON Semiconductor
NSBA143ZF3T5G
ON Semiconductor
NSBC115TF3T5G
ON Semiconductor
NSBA113EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA114EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC114TF3T5G
ON Semiconductor
NSBC143EF3T5G
ON Semiconductor
NSBA144EF3T5G
ON Semiconductor
NSBC144EF3T5G
ON Semiconductor
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel