maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / MUN2211JT1
Référence fabricant | MUN2211JT1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MUN2211JT1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN2211JT1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 230mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-59 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2211JT1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN2211JT1-FT |
MUN2136T1G
ON Semiconductor
MUN2230T1G
ON Semiconductor
MMUN2130LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2232LT3G
ON Semiconductor
SMUN2211T3G
ON Semiconductor
MMUN2214LT1G
ON Semiconductor
MMUN2114LT3G
ON Semiconductor
MMUN2217LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2235LT1G
ON Semiconductor
MMUN2230LT1G
ON Semiconductor
XC6SLX45T-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-3FG900C
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-1FFG484C
Xilinx Inc.
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C5AF256I8N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60F1020I6N
Intel