maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, Pré-pola / MUN2211JT1G
Référence fabricant | MUN2211JT1G |
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Numéro de pièce future | FT-MUN2211JT1G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MUN2211JT1G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN - Pre-Biased |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 50V |
Résistance - Base (R1) | 10 kOhms |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 10 kOhms |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500nA |
Fréquence - Transition | - |
Puissance - Max | 230mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Package d'appareils du fournisseur | SC-59 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN2211JT1G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MUN2211JT1G-FT |
MUN2230T1G
ON Semiconductor
MMUN2130LT1G
ON Semiconductor
NSVMMUN2232LT3G
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SMUN2211T3G
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MMUN2214LT1G
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MMUN2235LT1G
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EPF10K30ATI144-2N
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LCMXO2-1200HC-5TG144IR1
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A1020B-2PQG100C
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A3P250-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA7N2F40I2L
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XC7VX550T-2FFG1927I
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XC5VLX50-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation