maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / MTY100N10E
Référence fabricant | MTY100N10E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MTY100N10E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MTY100N10E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 378nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10640pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTY100N10E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MTY100N10E-FT |
R6030ENZ1C9
Rohm Semiconductor
R6035KNZ1C9
Rohm Semiconductor
SCH2080KEC
Rohm Semiconductor
SCT2450KEC
Rohm Semiconductor
SCT3080ALGC11
Rohm Semiconductor
SCT3120ALGC11
Rohm Semiconductor
SCT2H12NYTB
Rohm Semiconductor
SCT2750NYTB
Rohm Semiconductor
RSY200N05TL
Rohm Semiconductor
RSY160P05TL
Rohm Semiconductor
LFXP3C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V4000-5FF1517I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG256
Microsemi Corporation
M2GL025TS-VFG256
Microsemi Corporation
EP4CGX30CF23I7
Intel
5SGSED8N3F45I3LN
Intel
5SGXEB5R1F43I2N
Intel
AGL1000V5-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35C2G
Intel