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ON Semiconductor MTY100N10E

Name: MTY100N10E
Brand: ON Semiconductor
SKU: MTY100N10E
Availability: InStock
Rating: 4.8 (495 reviews)

Numéro de pièce MFG: MTY100N10E

quantité disponible: 43930 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 100V 100A TO-264

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MTY100N10E.pdf

MTY100N10E Caractéristiques

Référence fabricant	MTY100N10E
Numéro de pièce future	FT-MTY100N10E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MTY100N10E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	378nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10640pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-264
Paquet / caisse	TO-264-3, TO-264AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MTY100N10E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MTY100N10E-FT

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