maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT61M256M32JE-10 N:A
Référence fabricant | MT61M256M32JE-10 N:A |
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Numéro de pièce future | FT-MT61M256M32JE-10 N:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT61M256M32JE-10 N:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | SGRAM - GDDR6 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1.25GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.21V ~ 1.29V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 180-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 180-FBGA (12x14) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-10 N:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT61M256M32JE-10 N:A-FT |
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT:D TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel