maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT61M256M32JE-10 AAT:A
Référence fabricant | MT61M256M32JE-10 AAT:A |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT61M256M32JE-10 AAT:A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT61M256M32JE-10 AAT:A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | RAM |
La technologie | SGRAM - GDDR6 |
Taille mémoire | 8Gb (256M x 32) |
Fréquence d'horloge | 1.25GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.21V ~ 1.29V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 180-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 180-FBGA (12x14) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT61M256M32JE-10 AAT:A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT61M256M32JE-10 AAT:A-FT |
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT ES:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4SB-046 XT ES:E TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel