maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E TR
Référence fabricant | MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 48Gb (768M x 64) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -30°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D768M64D8SQ-046 WT ES:E TR-FT |
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel