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Référence fabricant | MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (512M x 32) |
Fréquence d'horloge | 2133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | 1.1V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT53D512M32D2NP-046 AIT ES:D TR-FT |
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 AUT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53D384M32D2DS-053 AUT:C
Micron Technology Inc.
XA3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XA3S250E-4VQG100I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17A7N
Intel
ICE40LM2K-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780I3N
Intel
EP2AGZ300FF35I4N
Intel